一、本實驗室除對原提供儀器設備資源單位開放外，亦對校內、外單位開放。

二、本實驗室開放之儀器設應包含以下項目:

     1.儀器設備名稱(含中、英文)

         中文名稱:高真空金屬濺渡系統

         英文名稱:Hi-vacuum sputter system

    2.性能說明:可在高真空下濺渡金屬厚、薄膜。此機台可使用直流電漿(DC Plasma)和射頻電漿(RF Plasma)作為濺渡源;濺渡時則以Ar(up to 100 sccm、N2_up to 50sccm)為濺渡與反應氣體。基本真空能力(base pressure)約為4E-6 torr 濺渡時工作壓力可在3.3E-3 torr 到 7.7E-3 torr。

    3.廠牌:高敦

    4.主要規格:

      (1)DC POWER、RF POWER。

      (2)靶材尺寸:3吋。

      (3)靶材種類:Al、Ti、Ta、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、ITO、Zn、Co...等。

      (4)真空LOAD LOCK

      (5)WAFER SIZE:4吋